[发明专利]一种重复使用的半导体基底及其纯化重复使用方法

权利要求书

1.一种重复使用的半导体基底，其特征在于：包括基底本体、至少一层保护层和至少两层缓冲层，保护层处于各缓冲层之间；各层缓冲层中，具有一层设置于保护层与基底本体之间的最底缓冲层；具有一层处于整个半导体基底的上表面的最顶缓冲层，最底缓冲层与基底本体的材质相同。

2.如权利要求1所述的一种重复使用的半导体基底，其特征在于：该半导体基底包括一层保护层和两层缓冲层，其中保护层处于两层缓冲层之间，两层缓冲层中，一层缓冲层为处于基底本体的表面和保护层之间最底缓冲层，另一层缓冲层处于整个半导体基底的上表面的最顶缓冲层。

3.如权利要求2所述的一种重复使用的半导体基底，其特征在于：所述保护层为磷化物层。

4.一种使权利要求1中的半导体基底的纯化重复使用的方法，包括

A．提供一个剥离后的半导体基底；

B．从半导体基底的表面由外而内依次逐层去除缓冲层和保护层，直至保留最后粘结在基底本体表面的最底缓冲层；

C.利用化学机械整平的方式去除最底缓冲层；

D.清洗基底本体的表面颗粒物和污染物；

E．将基底本体干燥处理后重复使用。

5.如权利要求4所述的一种方法，其特征在于：步骤B中缓冲层的去除方法为：将半导体基底倒置，仅使待去除的缓冲层浸没在缓冲层化学蚀刻液中去除缓冲层。

6.如权利要求5所述的一种方法，其特征在于：所述缓冲层刻蚀液为0.1-1%的硫酸和1-5%的过氧化氢，溶剂为去离子水。

7.如权利要求5所述的一种方法，其特征在于：步骤B中保护层的去除方法为：将半导体基底整体浸没在保护层刻蚀液中选择性去除保护层，该保护层刻蚀液同时去除半导体基底表面的含磷污染物和金属污染。

8.如权利要求5所述的一种方法，其特征在于：步骤B中保护层的去除方法为：当保护层有多层时，至少在去除一层保护层时将半导体基底整体浸没在保护层刻蚀液中去除保护层，此时保护层刻蚀液同时去除半导体基底表面的含磷污染物和金属污染；而其他剩余的保护层则采用单面去除的方法，即将半导体基底倒置，仅使待去的保护层浸没在保护层化学蚀刻液中去除保护层。

9.如权利要求7或8所述的一种方法，其特征在于：所述保护层刻蚀液为盐酸溶液，其浓度是10%-25%。

10.如权利要求4所述的一种方法，其特征在于：所述步骤C中化学机械整平采用的研磨液PH值8.5-10.5，含有0.2－2％的颗粒度在20-80ｎｍ二氧化硅颗粒，并加入0.2%-2%的抛光添加剂。