[发明专利]一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310223929.6 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103343315A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 骆溁;陈江鹏;马赫;袁国亮;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe1-xAxO3，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种，且其厚度为15-500nm，电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm，n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量，精确调控其电阻率、n型载流子浓度等半导体性能，在电子元器件、光电探测器和太阳能电池等领域具有巨大的实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铁酸铋 半导体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料，其特征在于所述薄膜材料为n型半导体，分子式为 BiFe1‑xAxO3，其中x为0.0005‑0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310223929.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
