[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310218411.3 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103295992A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 前佛伸一;伊藤慎吾 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其包括具有芯片焊盘部的引线框或电路基板、搭载于前述引线框的芯片焊盘部或前述电路基板的一个以上的半导体元件、使设置于前述引线框或前述电路基板的电接合部与设置于前述半导体元件的电极焊盘进行电连接的铜线以及将前述半导体元件与前述铜线进行密封的密封材料，并且，所述电极焊盘和/或密封材料和铜线的组合是具有规定特性的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：具有芯片焊盘部的引线框或电路基板、搭载于前述引线框的芯片焊盘部或前述电路基板的一个以上的半导体元件、使设置于前述引线框或前述电路基板的电接合部与设置于前述半导体元件的电极焊盘电连接的铜线、以及使前述半导体元件与前述铜线密封的密封材料，并且，设置于前述半导体元件的电极焊盘是由钯构成的，前述铜线的铜纯度是99.99质量%以上，并且前述铜线的硫元素含量是5质量ppm以下。
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