[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：具有芯片焊盘部的引线框或电路基板、搭载于前述引线框的芯片焊盘部或前述电路基板的一个以上的半导体元件、使设置于前述引线框或前述电路基板的电接合部与设置于前述半导体元件的电极焊盘电连接的铜线、以及使前述半导体元件与前述铜线密封的密封材料，

并且，

设置于前述半导体元件的电极焊盘是由钯构成的，

前述铜线的铜纯度是99.99质量%以上，并且前述铜线的硫元素含量是5质量ppm以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述密封材料是环氧树脂组合物的固化物。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物，是以0.01质量%以上并且2质量%以下的比例含有选自于由含钙元素的化合物和含镁元素的化合物构成的组中的至少一种抗腐蚀剂。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物，是以0.05质量%以上并且2质量%以下的比例含有碳酸钙。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，前述碳酸钙是通过二氧化碳反应法合成的沉淀性碳酸钙。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物，是以0.05质量%以上并且2质量%以下的比例含有水滑石。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，前述水滑石是下式（8）表示的化合物：

M_αAl_β(OH)_{2α＋3β-2γ}(CO₃)_γ·δH₂O   （8）

式（8）中，M表示至少含Mg的金属元素，α、β、γ是分别满足2≤α≤8、1≤β≤3、0.5≤γ≤2的数，δ是0以上的整数。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，根据热重量分析，前述水滑石的250℃下的质量减少率A质量%与200℃下的质量减少率B质量%，满足下式（I）表示的条件：

A-B≤5质量%  （I）。

9.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物含有选自于由下式（6）、（9）、（10）、（5）表示的环氧树脂所构成的组中的至少一种环氧树脂，

式（6）中，R¹⁶表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，当存在多个R¹⁶时，相互之间相同或相异，R¹⁷分别独立地表示氢原子、或者碳原子数为1～4的烃基，c和d分别独立地表示0或1，e是0～6的整数；

式（9）中，R²¹～R³⁰分别独立地表示氢原子、或者碳原子数为1～6的烷基，n⁵是0～5的整数；

式（10）中，n⁶的平均值是0～4的正数；

式（5）中，Ar¹表示亚苯基或亚萘基，当Ar¹是亚萘基时，缩水甘油醚基的键合位置是α位或是β位，Ar²表示亚苯基、联亚苯基或亚萘基，R¹⁴和R¹⁵分别独立地表示碳原子数为1～10的烃基，a是0～5的整数，b是0～8的整数，n³的平均值是1以上并且3以下的正数。

10.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物，含有选自于由下式（7）表示的酚醛树脂所构成的组中的至少一种固化剂，

式（7）中，Ar³表示亚苯基或亚萘基，当Ar³是亚萘基时，羟基的键合位置是α位或是β位，Ar⁴表示亚苯基、联亚苯基或亚萘基，R¹⁸和R¹⁹分别独立地表示碳原子数为1～10的烃基，f是0～5的整数，g是0～8的整数，n⁴的平均值是1以上并且3以下的正数。

11.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度是135℃以上并且175℃以下。

12.如权利要求2所述的半导体装置，其中，前述环氧树脂组合物的固化物在玻璃化转变温度以下的温度区域中的线膨胀系数是7ppm/℃以上并且11ppm/℃以下。