[发明专利]一种刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310216921.7 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104211010A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;李春龙;王文武;李俊峰;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层及其上的半导体层；在所述半导体层上形成掩膜层，所述掩膜层具有宽度不同的图案；在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；在所述沟槽内壁形成保护层；继续刻蚀所述半导体层。保护层对刻蚀完毕的沟槽侧壁起到了保护作用，避免后继刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切，改善缺口效应，工艺简单，利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层及其上的半导体层；在所述半导体层上形成掩膜层，所述掩膜层具有宽度不同的图案；在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；在所述沟槽内壁形成保护层；继续刻蚀所述半导体层。
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