[发明专利]一种刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310216921.7 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104211010A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;李春龙;王文武;李俊峰;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括绝缘层及其上的半导体层；
在所述半导体层上形成掩膜层，所述掩膜层具有宽度不同的图案；
在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；
在所述沟槽内壁形成保护层；
继续刻蚀所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体的刻蚀方法，在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；
原位进行氮化，将刻蚀气体转变为氮气，氮气等离子体与沟槽内裸露的半导体层反应形成保护层，继续原位刻蚀，去除沟槽底部的保护层，以在沟槽侧壁形成保护层；
继续原位刻蚀所述半导体层。
3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述衬底为SOI衬底或SOG衬底。
4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述半导体层的刻蚀气体为HBr/O2，或者HBr/Cl2/O2。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述沟槽内壁形成保护层的步骤具体为：氮化或氧化裸露沟槽内的半导体层，以形成保护层；再各向异性刻蚀去除沟槽底部的保护层。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在继续刻蚀所述半导体层之后还包括：去除所述保护层以及去除所述掩膜层。
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