[发明专利]一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路有效
申请号: | 201310213334.2 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103353546A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 刘晓 | 申请(专利权)人: | 宁波高新区日新科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 邱积权 |
地址: | 315040 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路,包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、控制电路和功率管驱动电路,稳压二极管的负极通过精密电阻与AC输出火线端连接,精密电阻与稳压二极管间的连接节点与电压放大电路的输出端连接,稳压二极管的正极接地,电压放大电路的输出端与电压检测电路连接,控制电路一端通过电压检测电路与电压放大电路连接,控制电路的另一端与电压放大电路连接,控制电路的另一端通过功率管驱动电路驱动H桥电路。这种逆变器过载的检测电路采用了普通精密电阻和保护稳压二极管,消耗的功率减小,同时普通精密电阻和保护稳压二极管价格都非常低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 mosfet 通电 逆变器 过载 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路,其特征在于包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、控制电路和功率管驱动电路,所述的H桥电路包括第一功率MOSFET管、第二功率MOSFET管、第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管,所述的第一功率MOSFET管的漏极与第三功率MOSFET管的漏极都与逆变器变换后的直流高压输出端相连,第二功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的源级都接地,第一功率MOSFET管的源级与第二功率MOSFET管的漏极相连,第一功率MOSFET管与第二功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出火线端,第三功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的漏极相连,第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出零线端;AC输出火线端与精密电阻的一端连接,精密电阻的另一端与电压放大电路的输入端连接,精密电阻的另一端与稳压二极管的负极相连,稳压二极管的正极接地,电压放大电路的输出端与电压检测电路连接,所述的控制电路通过电压检测电路与电压放大电路连接,控制电路与电压放大电路连接,控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路。
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