[发明专利]一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路

权利要求书

1.一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路，其特征在于包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、控制电路和功率管驱动电路，所述的H桥电路包括第一功率MOSFET管、第二功率MOSFET管、第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管，所述的第一功率MOSFET管的漏极与第三功率MOSFET管的漏极都与逆变器变换后的直流高压输出端相连，第二功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的源级都接地，第一功率MOSFET管的源级与第二功率MOSFET管的漏极相连，第一功率MOSFET管与第二功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出火线端，第三功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的漏极相连，第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出零线端；

AC输出火线端与精密电阻的一端连接，精密电阻的另一端与电压放大电路的输入端连接，精密电阻的另一端与稳压二极管的负极相连，稳压二极管的正极接地，电压放大电路的输出端与电压检测电路连接，所述的控制电路通过电压检测电路与电压放大电路连接，控制电路与电压放大电路连接，控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路。

2.根据权利要求1所述的一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路，其特征在于所述的电压放大电路包括运算放大器、滑动变阻器、第十三电容、第五电阻和第二十六电阻；所述的运算放大器的同相输入端通过第十二电容接地， 5V电源通过第二十一电阻与运算放大器的反相输入端连接，运算放大器的反相输入端通过滑动变阻器接地，运算放大器的反相输入端与运算放大器的输出端之间连接有第二十七电阻，运算放大器的输出端与第二十六电阻的一端相连，第二十六电阻的另一端通过第十三电容接地，第二十六电阻的另一端与第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端通过第九电容接地。

3.根据权利要求2所述的一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路，其特征在于所述的电压检测电路与控制电路包括一个型号为SN8P2722PB的芯片及外围电路，所述的芯片的第十四管脚与第五电阻的另一端连接，芯片的第六管脚与运算放大器的同相输入端连接。

4.根据权利要求3所述的一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路，其特征在于所述的功率管驱动电路分为第一功率管驱动电路与第二功率管驱动电路；

所述的第一功率管驱动电路包括第一二极管、第二二极管、第一三极管、第三三极管和电解电容，所述的第一二极管的正极连接12V电源，第一二极管的负极分别通过第一电阻和第七电阻连接到第一功率MOSFET管的栅极，第一电阻与第七电阻之间的连接节点与第二二极管的负极端连接，所述的第二二极管的正极端连接到第一功率MOSFET管的源极，第二二极管的负极与所述的第一三极管的集电极相连，第一三极管的发射极接地，所述的电解电容的正极与第一二极管的负极相连，电解电容的负极与第二二极管的正极相连；

第二功率MOSFET管的源级接地，第二功率MOSFET管的栅极分别通过第二电阻、第八电阻与第一三极管的基极连接，第二电阻与第八电阻之间的连接节点通过第十五电阻与12V电源相连，第二电阻与第八电阻之间的连接节点与第三三极管的集电极连接，第三三极管的发射极与第三三极管的集电极之间连接有第十电容，第三三极管的发射极接地，芯片的第九管脚通过第三电阻连接到第三三极管的基极，12V电源通过第十一电阻连接到芯片的第九管脚； 

所述的第二功率管驱动电路包括第三二极管、第四二极管、第二三极管、第四三极管和电解电容，所述的第三二极管的正极连接12V电源，第三二极管的负极分别通过第四电阻和第九电阻连接到第三功率MOSFET管的栅极，第四电阻与第九电阻之间的连接节点与第四二极管的负极端连接，所述的第四二极管的正极端连接到第三功率MOSFET管的源极，第四二极管的负极与所述的第二三极管的集电极相连，第二三极管的发射极接地，所述的电解电容的正极与第三二极管的负极相连，电解电容的负极与第四二极管的正极相连；

第四功率MOSFET管的源级接地，第四功率MOSFET管的栅极分别通过第五电阻、第十电阻与第二三极管的基极连接，第五电阻与第十电阻之间的连接节点通过第十六电阻与12V电源相连，第五电阻与第十电阻之间的连接节点与第四三极管的集电极连接，第四三极管的发射极与第四三极管的集电极之间连接有第十二电容，第四三极管的发射极接地，芯片的第十管脚通过第六电阻连接到第四三极管的基极，12V电源通过第十二电阻连接到芯片的第十管脚。

5.根据权利要求3所述的一种利用MOSFET导通电阻的逆变器过载检测电路，其特征在于所述的精密电阻的阻值为430kΩ，功率为0.25W。