[发明专利]高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备有效
| 申请号： | 201310209897.4 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103266349A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 姜大川;任世强;石爽;谭毅;邱介山 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B29/60 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 徐淑东 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备，本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；抽真空的同时，采用压杆在壳体上穿孔，所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面，待熔体全部流出停止压杆在壳体上穿孔，流出的硅液在壳体上凝固，实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。本发明还能抑制富集杂质的反向扩散，同时更可方便切除定向凝固提纯得到的富集杂质的铸锭，提高多晶硅生产中的出成率。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 中空 材料 多晶 铸锭 真空 分离 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭硅真空固液分离方法，其特征在于，包括以下步骤: 将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；抽真空的同时，采用压杆在壳体上穿孔，所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面，待硅液全部流出停止压杆在壳体上穿孔，流出的熔体在壳体上凝固，实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。
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