[发明专利]纳米二氧化铈抛光液组合物无效
| 申请号： | 201310201275.7 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104178033A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 高如山 | 申请（专利权）人： | 天津西美半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 300384 天津市华苑产业区海泰发*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于水晶、光掩模用石英玻璃、半导体装置、玻璃制硬盘、硅氧烷类等的半导体装置的层间绝缘膜用低介电常数材料等抛光用氧化铈抛光液。该抛光液含有表面改性的纳米氧化铈、二氧化硅、分散剂、氧化剂、碱性化合物、醇化合物和水。其中，优选用硬脂酸处理过的纳米氧化铈，其粒径优选10-100nm，质量含量为1-10％；优选胶体二氧化硅的粒径为40-100nm，质量含量为0.1-5％；优选0.01-5％的高分子分散剂，1-10％的过氧化氢氧化剂，其余为醇水混合物，浆料的pH值在8-10。本发明的纳米氧化铈抛光液，选择表面改性的纳米氧化铈，加入适量的二氧化硅，既减少了研磨引发时间又提高了处理稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化 抛光 组合 | ||
【主权项】：
一种纳米氧化铈抛光液组合物，其特征在于：该抛光液组合物含有表面改性的纳米氧化铈、二氧化硅、氧化剂、碱性化合物、分散剂、醇化合物和水。
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