[发明专利]纳米二氧化铈抛光液组合物无效
申请号: | 201310201275.7 | 申请日: | 2013-05-27 |
公开(公告)号: | CN104178033A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 高如山 | 申请(专利权)人: | 天津西美半导体材料有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 300384 天津市华苑产业区海泰发*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 氧化 抛光 组合 | ||
1.一种纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:该抛光液组合物含有表面改性的纳米氧化铈、二氧化硅、氧化剂、碱性化合物、分散剂、醇化合物和水。
2.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述的纳米氧化铈预先使用表面活性剂对其进行表面处理。
3.按照权利要求2所述,其特征在于:所述表面活性剂为硬脂酸,且表面活性剂的使用量为处理粉末质量的0.1-10%。
4.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述纳米氧化铈粒子的粒径在10-100nm,所述氧化铈的质量含量为1-10%。
5.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述二氧化硅是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或者沉淀法二氧化硅,优选胶体二氧化硅。
6.按照权利要求5所述,其特征在于:所述胶体二氧化硅的粒径在40-100nm,所述胶体二氧化硅的质量含量为0.1-5%。
7.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述氧化剂为过氧化物及其它强氧化剂,优先于过氧化氢,所述过氧化氢的质量含量为1-10%。
8.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述碱性化合物,一般选自氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钾、碳酸钠和四甲基氢氧化铵等中的至少一种。
9.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述分散剂为高分子分散剂及其它表明活性剂的一种或几种的混合物,所述分散剂的质量含量为0.01-5%。
10.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述醇化合物为各种小分子醇类及大分子醇类的一种或几种的混合物。
11.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:其余组分为去离子水,优选于超纯水。
12.按照权利要求10、11所述,其特征在于醇化合物与水的质量比为0.1∶1-1∶1。
13.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:所述抛光液组合物中加入了适量的二氧化硅,其减少了研磨引发时间并提高了处理稳定性。
14.按照权利要求1所述的纳米氧化铈抛光液组合物,其特征在于:该抛光液可用于水晶、光掩模用石英玻璃、半导体装置或玻璃制硬盘等的抛光。另外,也适用于硅氧烷类、有机聚合物类、多孔材料类、CVD聚合物等的半导体装置的层间绝缘膜用低介电常数材料的抛光。
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