[发明专利]在半桥配置下的双功率场效应管的驱动电路

摘要

一种在半桥配置下的双功率场效应管的驱动电路，能够交替驱动第一个和第二个功率晶体管。该驱动电路包括减少击穿电路，来监控两个功率晶体管的栅源电压以便抑制其中一个功率晶体管导通直到另外一个功率晶体管的栅源电压变为低电平，这表明另一个晶体管正处于截止状态。此外，该驱动电路包括一个电路，该电路是用来阻止来自上述功率晶体管的瞬时信号，该瞬时信号会影响驱动电路的运行。

主权项

一种在半桥配置下的双功率场效应管的驱动电路，其特征是：在交替驱动第一和第二个晶体管的电路中，每一个晶体管有一个控制端来接收一个晶体管驱动信号，其中至少有一个晶体管能够耦合到适应于耦合一个电阻的输出端，该电路包括：一个驱动输入用于接收一个驱动输入信号，该输入在第一个状态时，第一个晶体管导通，第二个晶体管截止，在第二个状态时，第一个晶体管截止，第二个晶体管导通；监测第一个晶体管去产生第一个信号的装置表明了第一个晶体管正处于运算状态，这相当于该晶体管是截止的；监测第二个晶体管去产生第二个信号的装置表明了第二个晶体管正处于运行状态，这相当于该晶体管是截止的；这些装置耦合到第一和第二个晶体管的控制端来驱动晶体管相应驱动输入端信号，以及第一和第二个信号，因此第一个晶体管被阻碍导通直到驱动输入信号在第一个状态并且第二个信号也保持原样，第二个晶体管被阻碍导通直到驱动输入信号在第二个状态并且第一个信号也保持原样；来自第一个和第二个晶体管其中一个的装置用来防止电容感应瞬时信号影响另一个晶体管导通，即第一个和第二个晶体管其中一个的驱动装置被禁止直到另一个晶体管截止；其中第一个和第二个晶体管是场效应管，每一个晶体管都有一个门端作为控制端，和一个相应的栅源电压；其中瞬态信号是一个在上述第一个和第二个晶体管其中一个的门端感应出的瞬态电压信号；其中预防装置被耦合在上述第一个和第二个晶体管其中一个的门端和其对应的测控装置之间；预防装置包括一个衰减器，该衰减器是将瞬时电压的电耦合从上述第一个和第二个晶体管其中一个的门端衰减到其对应的测控装置上； 预防装置将上述第一个和第二个晶体管其中一个的门端连接到同一个晶体管的电源上，而另一个晶体管导通以至衰减瞬时电压信号；该预防装置包括一个晶体管，被上述耦合到第一个和第二个晶体管的控制端所控制；其中预防装置包括一个逻辑电路，该逻辑电路是防止一个生成的信号让上述第一个和第二个晶体管其中一个处于运算状态，这样由于耦合到驱动装置上，该晶体管会被认为是截止的，而另一个晶体管是导通的；第一个晶体管测控装置测控第一个晶体管的栅源电压，当第一个栅源电压的大小比该晶体管的阈值电压小时会产生第一个信号；第二个晶体管测控装置测控第二个晶体管的栅源电压，当第二个栅源电压的大小比该晶体管的阈值电压小时会产生第二个信号；其中第一个晶体管包括一个p沟道场效应晶体管，第二个晶体管包括一个n沟道场效应晶体管；其中第一个和第二个晶体管的测控装置都是比较器。