[发明专利]连接件位点间隔的设计方案及得到的结构有效

专利信息
申请号: 201310199124.2 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103456704A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 庄曜群;庄其达;刘浩君;郭正铮;陈承先 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供了一种用于防止钝化层中的裂纹的系统和方法。在一实施例中,接触焊盘具有第一直径并且穿过钝化层的开口具有第二直径,其中第一直径比第二直径大第一距离,该第一距离为约10μm。在另一实施例中,形成穿过开口的凸块下金属化层,该凸块下金属化层具有第三直径,第三直径比第一直径大第二距离,该第二距离为约5μm。在又一实施例中,第一距离和第二距离之和大于约15μm。本发明公开了连接件位点间隔的设计方案及得到的结构。
搜索关键词: 连接 件位点 间隔 设计方案 得到 结构
【主权项】:
一种半导体器件,包括:具有第一直径的接触焊盘;和与所述接触焊盘电连接的凸块下金属化层,所述凸块下金属化层具有第二直径,其中所述第二直径比所述第一直径大第一距离,所述第一距离为约5μm。
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