[发明专利]连接件位点间隔的设计方案及得到的结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一直径的接触焊盘；和

与所述接触焊盘电连接的凸块下金属化层，所述凸块下金属化层具有第二直径，其中所述第二直径比所述第一直径大第一距离，所述第一距离为约5μm。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括至少部分地位于所述接触焊盘和所述凸块下金属化层之间的第一钝化层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括穿过所述钝化层的开口，其中所述凸块下金属化层延伸穿过所述开口与所述接触焊盘接触，所述开口具有第三直径，其中所述第三直径比所述第一直径小第二距离，所述第二距离为约10μm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一距离和所述第二距离之和大于约15μm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述凸块下金属化层上形成的外部接触件。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述外部接触件是铜柱。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘是铝。

8.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的接触焊盘，所述接触焊盘具有第一尺寸；

至少部分地位于所述接触焊盘上方的钝化层；

穿过所述钝化层的开口，所述开口具有第二尺寸；以及

延伸穿过所述开口接触所述接触焊盘的凸块下金属化层，所述凸块下金属化层具有第三尺寸，其中所述第三尺寸比所述第一尺寸大第一数值，所述第一数值大于约5μm。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一尺寸比所述第二尺寸大第二数值，所述第二数值大于约10μm。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成接触焊盘，所述接触焊盘具有第一直径；

在所述接触焊盘上方沉积钝化层；

对所述钝化层进行图案化以形成穿过所述钝化层的开口，所述开口具有小于所述第一直径的第二直径；以及

形成延伸穿过所述开口的凸块下金属化层，所述凸块下金属化层具有第三直径，所述第三直径比所述第一直径大第一距离，所述第一距离大于约5μm。