[发明专利]Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺有效
| 申请号： | 201310198820.1 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103320666A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C22C29/00 | 分类号： | C22C29/00;C22C1/10;H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 315211 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及热电材料领域，是一种Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125～0.05，Ag和In元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的化学式为Ag1-xIn1-xZn2xSe2，其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Zn等摩尔替换Ag-In-Zn-Se四元热电合金中Ag和In元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | ag in zn se 热电 半导体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种Ag‑In‑Zn‑Se四元热电半导体，其特征在于所述Ag‑In‑Zn‑Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag‑In‑Zn‑Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125～0.05，所述Ag‑In‑Zn‑Se四元热电半导体的化学式为Ag1‑xIn1‑xZn2xSe2，其中0≤x≤0.1。
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