[发明专利]Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺

权利要求书

1.一种Ag-In-Zn-Se四元热电半导体，其特征在于所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的部分Ag和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所述Zn元素在所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体中的摩尔分数为0.0125～0.05，所述Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的化学式为Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂，其中0≤x≤0.1。

2. 一种如权利要求1所述的Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的制备工艺，其特征是将所述Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂热电半导体的制备工艺分为如下五步进行：

第一步：熔炼合成，将组成Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂热电半导体的单质元素Ag、In、Zn、Se置于真空石英管内熔炼合成Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂，合成温度为950～1150℃，合成时间为24小时；

第二步：缓慢冷却，所述的缓慢冷却，是将真空石英管内熔炼合成的Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂铸锭随炉冷却至450～550℃；

第三步：退火，所述的退火，是将真空石英管内的Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂铸锭在450～550℃保温150～180小时；

第四步：淬火，所述的淬火，是将真空石英管内的Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂铸锭在450～550℃保温150～180小时之后在水中冷却；

第五步：烧结，所述的烧结，是将经过淬火后的Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂铸锭粉碎、球磨，球磨后的粉末经放电等离子火花烧结制成块体，烧结温度为600～700℃，烧结压力为40～60Mpa。

3.根据权利要求2所述的Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的制备工艺，其特征是所述的Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂在真空石英管内熔炼的择优合成温度为1050℃，择优烧结温度为650℃，择优烧结压力为50MPa。

4.根据权利要求2所述的Ag-In-Zn-Se四元热电半导体的制备工艺，其特征在于制备工艺是将Ag_1-xIn_1-xZn_2xSe₂熔炼后的铸锭在真空石英管内择优保温168小时，择优保温温度500℃。