[发明专利]使用应力源层部分的剥脱方法

摘要

本发明涉及使用应力源层部分的剥脱方法。提供了一种使用位于基础衬底的最上表面上的一部分但不是全部上的至少一个应力源层部分剥脱基础衬底的局部区域的方法。该方法包括提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底。在基础衬底的最上表面的至少一部分但不是全部上形成具有形状的至少一个应力源层部分。执行剥脱，其从基础衬底去除材料层部分，并提供剩余的基础衬底部分。材料层部分具有至少一个应力源层部分的形状，而剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，该开口与至少一个应力源层的形状相关。

主权项

一种提供半导体结构的方法，包括：提供具有均匀厚度和平面最上表面的基础衬底，所述平面最上表面跨过整个所述基础衬底；在所述基础衬底的所述最上表面的至少一部分但不是全部上形成具有形状的至少一个应力源层部分；从所述基础衬底剥脱材料层部分，其中所述材料层部分具有所述至少一个应力源层部分的所述形状，且其中剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口与所述至少一个应力源层的所述形状相关，其中所述基础衬底具有比所述至少一个应力源层部分的断裂韧度更低的断裂韧度。