[发明专利]使用应力源层部分的剥脱方法

权利要求书

1.一种提供半导体结构的方法，包括： 

提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底； 

在所述基础衬底的所述最上表面的至少一部分但不是全部上形成具有形状的至少一个应力源层部分； 

从所述基础衬底剥脱材料层部分，其中所述材料层部分具有所述至少一个应力源层部分的所述形状，且其中剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口与所述至少一个应力源层的所述形状相关。 

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基础衬底具有比所述至少一个应力源层部分的断裂韧度更低的断裂韧度。 

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述基础衬底包括半导体材料、玻璃或陶瓷。 

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应力源层部分包括： 

在所述基础衬底的所述最上表面上形成掩模材料的均厚层； 

在所述掩模材料的所述均厚层中形成开口，其暴露所述基础衬底的所述最上表面的至少一部分； 

选择具有比所述基础衬底更高的断裂韧度的应力源材料；以及 

在所述基础衬底的暴露的最上表面上形成所述应力源材料。 

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应力源层部分包括： 

在所述基础衬底的整个所述最上表面顶上提供应力源材料的均厚层；以及 

通过光刻和蚀刻构图所述应力源材料的均厚层。 

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述至少一个应力源层部分之下形成含金属的粘合层部分以及镀敷种子层部分中的至少一个。 

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述应力源层部分包括金属、聚合物或其任意组合。 

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述应力源层部分至少包括所述聚合物，且所述聚合物是剥脱诱导带层。 

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥脱是在室温或低于室温的温度下执行。 

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在剥脱前在所述应力源层部分顶上形成处理衬底。 

11.一种提供半导体结构的方法，包括： 

提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底； 

形成具有至少一个开口的构图的掩模，所述开口暴露所述基础衬底的所述最上表面的一部分； 

在所述基础衬底的暴露部分上形成具有形状的至少一个应力源层部分；以及 

从所述基础衬底剥脱材料层部分，其中所述材料层部分具有所述至少一个应力源层部分的形状，且其中剩余的基础衬底部分在其中具有至少一个开口，所述开口与所述至少一个应力源层的所述形状相关。 

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述基础衬底具有比所述至少一个应力源层部分的断裂韧度更低的断裂韧度。 

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述基础衬底包括半导体材料、玻璃或陶瓷。 

14.根据权利要求11所述的方法，还包括形成所述至少一个应力源层部分之前，在所述基础衬底的暴露的所述最上表面上形成含金属的粘合层部分和镀敷种子层部分中的至少一个。 

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述应力源层部分包括金属、聚合物或其任意组合。 

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述应力源层部分至少包括所述聚合物，且所述聚合物是剥脱诱导带层。 

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述剥脱是在室温或低于室温的温度下执行。 

18.根据权利要求11所述的方法，还包括在剥脱前在所述应力源层部分顶上形成处理衬底。 

19.一种提供半导体结构的方法，包括： 

提供具有均匀厚度和跨过整个基础衬底的平面最上表面的基础衬底； 

在所述基础衬底的所述最上表面的一部分上形成应力源层部分，而所述最上表面的其他部分是裸露的；以及 

从所述基础衬底剥脱材料层部分，其中所述材料层部分具有所述至少一个应力源层部分的形状，且其中剩余的基础衬底部分具有位于其中的至少一个开口，所述开口与所述至少一个应力源层的所述形状相关。