[发明专利]实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置在审
申请号: | 201310193642.3 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN104183451A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置,通过将等离子体反应腔上方的介电窗口靠近射频线圈的表面涂覆金属法拉第屏蔽装置,避免了传统的板状法拉第屏蔽装置受热发生变形导致的和介电窗口贴合不紧密,不能迅速的把介电窗口的热量传送到反应腔外部的技术问题,通过采用喷涂或蒸镀等方法,将法拉第屏蔽装置和介电窗口紧密贴合在一起,同时在法拉第屏蔽装置表面或内部设置导热部件,快速降低等离子体反应腔的温度,实现等离子体加工工艺的稳定和均匀。 | ||
搜索关键词: | 实现 快速 散热 法拉第 屏蔽 装置 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
一种实现快速散热的法拉第屏蔽装置,所述法拉第屏蔽装置用于一电感耦合等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括至少一个反应腔室,所述反应腔室包括一介电窗口,所述介电窗口上方设置有射频线圈,其特征在于,所述介电窗口和所述法拉第屏蔽装置一体设置,所述法拉第屏蔽装置涂覆在所述介电窗口靠近所述射频线圈的表面。
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