[发明专利]实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置在审

专利信息
申请号: 201310193642.3 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN104183451A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 左涛涛;吴狄 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/02
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 实现 快速 散热 法拉第 屏蔽 装置 等离子体 处理
【权利要求书】:

1.一种实现快速散热的法拉第屏蔽装置,所述法拉第屏蔽装置用于一电感耦合等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括至少一个反应腔室,所述反应腔室包括一介电窗口,所述介电窗口上方设置有射频线圈,其特征在于,所述介电窗口和所述法拉第屏蔽装置一体设置,所述法拉第屏蔽装置涂覆在所述介电窗口靠近所述射频线圈的表面。

2.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述的法拉第屏蔽装置通过喷涂或蒸镀与所述介电窗口一体设置。

3.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述法拉第屏蔽装置上设置有至少一个射频通道,由射频线圈产生的磁场能够通过所述射频通道耦合到反应腔室内部。

4.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述射频通道的形状包括至少一个径向槽,所述径向槽以相同的径向角度间隔均匀分布于所述法拉第屏蔽装置上。

5.根据权利要求4所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述径向槽包括第一长度和第二长度,所述第一长度径向槽和第二长度径向槽间隔设置。

6.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述的射频线圈上方设置一风扇。

7.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述法拉第屏蔽装置表面设置一导热部件,所述导热部件内装有冷却液,所述导热部件至少包括一输入接口以及一输出接口,用于输入及输出冷却液。

8.如权利要求7所述的法拉第屏蔽装置,其特征在于,所述的导热部件为一导热管,所述导热管在所述法拉第屏蔽装置表面呈扇叶形均匀分布。

9.根据权利要求1-8任一权利要求所述法拉第屏蔽装置,其特征在于:所述法拉第屏蔽装置材料为金属材料,所述介电窗口为陶瓷材料。

10.一种等离子体处理装置,其特征在于,所述等离子体处理装置包括对被处理基板进行蚀刻的反应室,所述反应室上方设置一介电窗口,所述介电窗口上方设置一根据权利要求1至8中任一项所述的法拉第屏蔽装置。

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