[发明专利]用于生长金属双晶的坩埚无效
| 申请号： | 201310183022.1 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104164699A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刁千顺;蒋卫斌;孔庆平;蔡民;刘长松;方前锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于生长金属双晶的坩埚，坩埚主体包括用于生长晶体的直体部分、底壁和设置于所述底壁上的籽晶孔，所述籽晶孔为通孔，且其靠近所述底壁的端部的横截面积不小于所述籽晶孔远离所述底壁的端部的横截面积，其特征在于所述直体部分为两个紧密排列的直筒段，并形成8字型横截面的坩埚内壁，且对应地设有两个籽晶孔，所述两个直筒段与所述两个籽晶孔同轴分布。采用本发明的坩埚可以生长出金属双晶，可控地生长出不同结构类型的晶界，有利于开展金属中晶界微观结构及其性能等研究。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 金属 双晶 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于生长金属双晶的坩埚，坩埚主体包括用于生长晶体的直体部分、底壁和设置于所述底壁上的籽晶孔，所述籽晶孔为通孔，且其靠近所述底壁的端部的横截面积不小于所述籽晶孔远离所述底壁的端部的横截面积，其特征在于所述直体部分为两个紧密排列的直筒段，并形成8字型横截面的坩埚内壁，且对应地设有两个籽晶孔，所述两个直筒段与所述两个籽晶孔对应同轴分布。
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