[发明专利]用于生长金属双晶的坩埚

权利要求书

1.一种用于生长金属双晶的坩埚，坩埚主体包括用于生长晶体的直体部分、底壁和设置于所述底壁上的籽晶孔，所述籽晶孔为通孔，且其靠近所述底壁的端部的横截面积不小于所述籽晶孔远离所述底壁的端部的横截面积，其特征在于所述直体部分为两个紧密排列的直筒段，并形成8字型横截面的坩埚内壁，且对应地设有两个籽晶孔，所述两个直筒段与所述两个籽晶孔对应同轴分布。

2.根据权利要求1所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于还包括一端有底的套筒，所述套筒套紧于所述籽晶孔远离所述底壁的一端。

3.根据权利要求2所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述坩埚主体由完全对称的两部分紧扣拼接而成，并由所述套筒固定。

4.根据权利要求2所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述套筒具有内螺纹，所述坩埚主体的底部具有与所述套筒的内螺纹相配合的外螺纹，所述套筒与所述坩埚主体螺纹连接。

5.根据权利要求2所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述坩埚主体和/或所述套筒为石墨材质。

6.根据权利要求1所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述直体部分的直筒段为圆柱形，所述籽晶孔的通孔为长方体。

7.根据权利要求6所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述籽晶孔的横截面形状为正方形。

8.根据权利要求3所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述籽晶孔的横截面的最大直径范围为2mm～40mm。

9.根据权利要求3所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述籽晶孔的深度范围为5mm～80mm。

10.根据权利要求1所述的用于生长金属双晶的坩埚，其特征在于所述直筒段与所述籽晶孔通过锥形面连通。