[发明专利]一种工业化厚GEM制作方法有效
申请号: | 201310182365.6 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103280387A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 吕军光;武守坤;谢宇广;俞伯祥;章爱武;陈裕韬;唐宏华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所;惠州市金百泽电路科技有限公司 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 余长江 |
地址: | 100049 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种工业化厚GEM制作方法。本方法为:1)在厚GEM原板上制备定位联接孔;2)将步骤1)处理后的厚GEM原板覆上一层抗蚀层;3)将设计图像转移至步骤2)处理后的厚GEM原板上;4)在步骤3)处理后的厚GEM原板上制备厚GEM孔;5)对所有厚GEM孔制备绝缘环;6)去除厚GEM原板上的所述抗蚀层。对步骤6)处理后的厚GEM原板上镀一层金层可进一步提升性能。本发明实现低成本、短周期、大面积、高成品率的国产厚GEM的工业化全流水线批量生产;并且生产出来的厚GEM应具有增益高、增益稳定性好,能量分辨好,耐打火,可在氩基和氖基等多种混和气体。 | ||
搜索关键词: | 一种 工业化 gem 制作方法 | ||
【主权项】:
一种工业化厚GEM制作方法,其步骤为:1)在厚GEM原板上制备定位联接孔;2)将步骤1)处理后的厚GEM原板覆上一层抗蚀层;3)将设计图像转移至步骤2)处理后的厚GEM原板上;4)在步骤3)处理后的厚GEM原板上制备厚GEM孔;5)对所有厚GEM孔制备绝缘环;6)去除厚GEM原板上的所述抗蚀层。
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