[发明专利]功率半导体设备及其制造方法

摘要

本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

主权项

一种功率半导体设备，该设备包括：触点，该触点形成在有源区内；第一导电体层和第二导电发射极层，该第一导电体层和第二导电发射极层形成在所述触点的下方；沟槽栅，该沟槽栅从所述有源区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成；第一导电阱，该第一导电阱形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间；第一导电阱延伸部分，该第一导电阱延伸部分形成在所述第一终止区内和第二终止区的一部分内；第一导电场限环，该第一导电场限环形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触；以及高浓度第二导电埋孔累积部分，该高浓度第二导电埋孔累积部分形成在所述阱和所述阱延伸部分的下方，所述埋孔累积部分覆盖所述沟槽栅的侧面的至少一部分。