[发明专利]一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 201310181703.4 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103224793A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王晓丹;毛红敏;马春兰 | 申请（专利权）人： | 苏州科技学院 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法，其化学式为Ga(1-x-y)RexAyN，Re为Ce3+、Pr3+、Nd3+、Pm3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+中的一种，A为B3+或Al3+，x为Re的含量，y为B3+或Al3+的含量，0.1%≦x≦10.0%，0.1x≦y≦x。将原料混合后在500～1000℃的真空石英管中保温8～16小时，研磨后再在1000～1150℃的氨气气氛中保温10～20小时，得到发光粉体材料。本发明改善了由于Re3+和Ga3+之间的半径失配而造成的晶格畸变，有效提高了GaN粉体材料的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 掺杂 gan 发光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土掺杂GaN发光粉体，其特征在于：它的化学式为Ga(1‑x‑y)RexAyN，其中，Re为稀土金属离子Ce3+、Pr3+、Nd3+、Pm3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+和Yb3+中的任意一种，A为金属离子B3+或Al3+，x为Re的含量 ，y为B3+或Al3+的含量，0.1%≦x≦10.0%，0.1x≦y≦x 。
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