[发明专利]一种稀土掺杂GaN发光粉体及其制备方法

权利要求书

1.一种稀土掺杂GaN发光粉体，其特征在于：它的化学式为Ga_(1-x-y)Re_xA_yN，其中，Re为稀土金属离子Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Pm³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺和Yb³⁺中的任意一种，A为金属离子B³⁺或Al³⁺，x为Re的含量 ，y为B³⁺或Al³⁺的含量，0.1%≦x≦10.0%，0.1x≦y≦x 。

2.一种如权利要求1所述的稀土掺杂GaN发光粉体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）按Ga∶Re∶A= (1-x-y)：x ：y的摩尔比，称量各原料：其中，Re为稀土金属离子Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的任意一种稀土金属，A为金属离子B³⁺或Al³⁺， x为Re的含量 ，y为B³⁺或Al³⁺的含量，0.1%≦x≦10.0%，0.1x≦y≦x ；

（2）将各原料混合后真空封装于石英管中；

（3）将石英管在500～1000℃的温度下保温8～16小时后冷却至室温，得到固溶体；

（4）取出石英管中的固溶体，研磨成粉体，放入刚玉舟中，在温度为1000～1150℃的氨气气氛中保温10～20小时后，冷却至室温，得到一种稀土金属离子和金属离子B³⁺或Al³⁺共掺杂的GaN发光粉体材料。