[发明专利]利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201310178070.1 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104150910A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，降温至800℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。本发明的方法具有变废为宝，直接避免了提纯Si、PEG与SiC的繁杂工序，得到的复相多孔陶瓷具有空隙结构分布均匀、互连，收缩率低、抗弯强度高等特点，能够满足高温下使用过滤器，催化剂载体和热绝缘材料等领域的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多晶 si 切割 废料 制备 氮化 碳化硅 多孔 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种利用多晶Si切割废料制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤①以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械湿法球磨混合均匀成浆料，其中，所述烧结助剂包括Y2O3和Al2O3；步骤②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；步骤③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先快速升温至900～1200℃，再缓慢升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温至600～1000℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。
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