[发明专利]选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310174133.6 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104157724A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘尧平;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法，选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法包括如下步骤，对制绒后的硅片进行重扩散；在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜；用氢氟酸和含有Ag+、Fe3+、Au3+或Cu2+中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。本发明的选择性纳米发射极太阳能电池的发射极方阻均匀、反射率低、表面复合和俄歇复合低，并且电极能够形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 纳米 发射极 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）对制绒后的硅片进行重扩散；2）在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜；3）用氢氟酸和含有Ag+、Fe3+、Au3+或Cu2+中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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