[发明专利]选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）对制绒后的硅片进行重扩散；

2）在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜；

3）用氢氟酸和含有Ag⁺、Fe³⁺、Au³⁺或Cu²⁺中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。

2.根据权利要求1所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：

4）去除所述Ag⁺、Fe³⁺、Au³⁺或Cu²⁺中的一种或多种金属离子；

5）去除所述电极区上面的掩膜。

3.根据权利要求2所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：

6）在所述硅片上沉积减反射膜；

7）在所述电极区的上面制备电极；

8）烧结，使得所述电极和电极下面重扩散的硅片形成欧姆接触。

4.根据权利要求1至3任一项所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中氢氟酸的浓度为1mol/L-5mol/L，所述Ag⁺、Fe³⁺、Au³⁺或Cu²⁺中的一种或多种金属离子的浓度为0.001mol/L-0.2mol/L。

5.根据权利要求4所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中氢氟酸的浓度为1.5mol/L-2.5mol/L，所述Ag⁺、Fe³⁺、Au³⁺或Cu²⁺中的一种或多种金属离子的浓度为0.01mol/L-0.02mol/L。

6.根据权利要求1至3任一项所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述后刻蚀的温度为20℃-35℃。

7.根据权利要求6所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述后刻蚀的温度为25℃-30℃。

8.根据权利要求1至3任一项所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述后刻蚀的时间为5秒-120秒。

9.根据权利要求8所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述后刻蚀的时间为40秒-110秒。

10.根据权利要求2所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，去除所述Ag⁺、Fe³⁺、Au³⁺或Cu²⁺中的一种或多种金属离子的步骤包括将经过后刻蚀的硅片放入硝酸溶液中超声5分钟-10分钟。

11.一种由权利要求1-10任一项所述的选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法所形成的选择性纳米发射极太阳能电池。