[发明专利]一种静电释放保护电路版图及集成电路

摘要

本申请公开了一种静电释放保护电路版图，在硅衬底上布置金属氧化物半导体MOS管，所述MOS管的漏端靠近衬底，布置于该MOS管的外侧；而源端布置于该MOS管的内侧；所述漏端到衬底形成寄生二极管。本申请还公开了一种集成电路。本申请提供的静电释放保护电路无需SAB和ESD植入，可以将源端和漏端的面积做的比较小，并且使得寄生电容变小，电路的反应速度变快。

主权项

一种静电释放保护电路版图，其特征在于，硅片衬底上布置有金属氧化物半导体MOS管，所述MOS管的漏端靠近衬底，布置于该MOS管的外侧且与焊盘连接；源端布置于该MOS管的内侧；所述MOS管以偶数个为一组，同一组中的相邻两个MOS管共用一个相同的漏端或源端，且每一组所述MOS管的两侧一定为所述MOS管的漏端；所述漏端到衬底形成寄生二极管；所述寄生二极管用来正向导通泄放静电释放电荷。