[发明专利]半导体检测电路及检测方法有效
| 申请号： | 201310170460.4 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104142459B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;周洁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/14 | 分类号： | G01R31/14;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体检测电路及检测方法，所述半导体检测电路包括至少两个并联的待检测单元、第一检测端、第二检测端、与待检测单元一一对应的至少两个第三检测端、至少一个二极管；所述待检测单元用于检测两个电极之间的击穿特性，且不同的待检测单元的结构不同；所述相邻的待检测单元的第二端与第二检测端相连接，所述相邻的待检测单元的第一端通过二极管相连接，其中一个待检测单元的第一端与第一检测端相连接，且所述二极管的阳极都朝向第一检测端，使得当所述第一检测端施加正向的击穿检测电压时，所有的二极管都会导通。利用所述半导体检测电路能快速检测耐压特性最差的待检测单元，从而可以获得不同的待检测单元的结构对击穿特性的不同影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测电路，其特征在于，包括：至少两个待检测单元，所述待检测单元是并联的；第一检测端、第二检测端、与待检测单元一一对应的至少两个第三检测端、至少一个二极管；所述待检测单元用于检测两个电极之间的击穿特性，且不同的待检测单元的结构不同；相邻的待检测单元的第二端相连接后与第二检测端相连接，所述相邻的待检测单元的第一端通过二极管相连接，其中一个待检测单元的第一端与第一检测端相连接，且所述二极管的阳极都朝向第一检测端的位置，使得当所述第一检测端施加正向的击穿检测电压时，所有的二极管都会导通；每个待检测单元的第一端都与对应的第三检测端相连接。
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