[发明专利]半导体检测电路及检测方法

权利要求书

1.一种半导体检测电路，其特征在于，包括：至少两个待检测单元，所述待检测单元是并联的；第一检测端、第二检测端、与待检测单元一一对应的至少两个第三检测端、至少一个二极管；所述待检测单元用于检测两个电极之间的击穿特性，且不同的待检测单元的结构不同；相邻的待检测单元的第二端相连接后与第二检测端相连接，所述相邻的待检测单元的第一端通过二极管相连接，其中一个待检测单元的第一端与第一检测端相连接，且所述二极管的阳极都朝向第一检测端的位置，使得当所述第一检测端施加正向的击穿检测电压时，所有的二极管都会导通；每个待检测单元的第一端都与对应的第三检测端相连接。

2.如权利要求1所述的半导体检测电路，其特征在于，所述待检测单元包括：第一电极、第二电极和将第一电极、第二电极电学隔离的层间介质层，所述第一电极对应所述待检测单元的第一端，所述第二电极对应所述待检测单元的第二端，不同所述待检测单元对应的第一电极、第二电极之间的间距不同。

3.如权利要求2所述的半导体检测电路，其特征在于，所述待检测单元包括：基底，位于基底表面的层间介质层，位于所述层间介质层表面的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间通过层间介质层电学隔离。

4.如权利要求2所述的半导体检测电路，其特征在于，所述待检测单元包括：基底，位于基底表面的第一金属层，位于所述第一金属层表面的层间介质层，位于所述层间介质层表面的第二金属层，所述第二金属层包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间通过层间介质层电学隔离，所述第一金属层的位置与第一电极、第二电极的位置相对应。

5.如权利要求4所述的半导体检测电路，其特征在于，不同的待检测单元的基底、层间介质层、第一电极、第二电极的材料、尺寸、形成工艺相同，但不同的待检测单元的第一金属层的俯视形状不同，使得不同所述待检测单元对应的第一电极、第二电极之间的间距不同。

6.如权利要求5所述的半导体检测电路，其特征在于，通过对具有不同俯视形状的第一金属层对应的待检测单元进行检测，获得最先击穿的待检测单元，从而获得不同俯视形状的第一金属层对第一电极、第二电极之间间距的影响及对所述待检测单元的击穿特性的影响。

7.如权利要求5所述的半导体检测电路，其特征在于，所述待检测单元的第一金属层的俯视形状为块状结构。

8.如权利要求5所述的半导体检测电路，其特征在于，所述待检测单元的第一金属层的俯视形状为条状结构。

9.如权利要求8所述的半导体检测电路，其特征在于，当所述第一电极和第二电极都为梳状结构，且所述梳状结构的第一电极和第二电极的梳齿金属线交错相嵌时，所述条状结构的第一金属层与所述梳齿金属线平行或垂直。

10.如权利要求8所述的半导体检测电路，其特征在于，当所述第一电极和第二电极都为梳状结构，且所述梳状结构的第一电极和第二电极的梳齿金属线交错相嵌，所述条状结构的第一金属层与所述梳齿金属线平行时，所述条状结构的第一金属层位于所述梳齿金属线的正下方或位于梳齿金属线之间的间隙的正下方。

11.一种采用如权利要求1所述的半导体检测电路的检测方法，其特征在于，包括：

在所述第一检测端施加击穿检测电压，第二检测端接地，第三检测端浮空，直到所述待检测单元至少一个被击穿，第一检测端和第二检测端之间检测到有电流产生，停止施加击穿检测电压；

然后，在所述第二检测端施加检测电压，第一检测端浮空，第三检测端接地，当至少一个第三检测端检测到有电流，则表明对应的待检测单元最先被击穿。

12.如权利要求11所述的检测方法，其特征在于，还包括：通过测出最先被击穿的待检测单元，从而获得不同结构对待检测单元的击穿特性的影响。