[发明专利]一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法有效
| 申请号： | 201310169904.2 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103303860B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王琛英;蒋庄德;杨树明;张易军;任巍;景蔚萱;林启敬;李磊 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 表面 生成 50 纳米 任意 高度 台阶 方法 | ||
【主权项】：
一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)制备Al2O3薄膜：在Si基底上采用原子层沉积的方法制备Al2O3薄膜；在300℃温度下，以H2O和三甲基铝为气相前驱体，H2O和三甲基铝的脉冲时间为0.2秒，在两个脉冲间隔往反应室内通入惰性气体，对反应室进行净化，清洗净化时间为8秒，H2O的载气流量为200sccm，三甲基铝的载气流量为150sccm；(2)图形转移：将设计好的纳米台阶平面图形采用光刻工艺，深紫外光曝光的方式，转移到Al2O3薄膜；采用EPG533光刻胶在Si基底表面匀胶后烘干；通过深紫外光曝光后，在NaOH溶液中显影；然后烘干，将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜；(3)湿法刻蚀：用蚀刻液腐蚀掉图形以外的Al2O3薄膜，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；采用HF、NH4F和H2O的混合液对带有纳米台阶平面图形Si基底进行腐蚀，将未被光刻胶掩蔽的Al2O3薄膜腐蚀掉，Al2O3薄膜被腐蚀干净后，用丙酮溶液去除光刻胶掩蔽层；通过控制所述步骤(1)中Al2O3薄膜生长时间，生成0‑50纳米任意高度的纳米台阶。
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