[发明专利]一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法

权利要求书

1.一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)制备Al₂O₃薄膜：在Si基底上采用原子层沉积的方法制备Al₂O₃薄膜；

在300℃温度下，以H₂O和三甲基铝为气相前驱体，H₂O和三甲基铝的脉冲时间为0.2秒，在两个脉冲间隔往反应室内通入惰性气体，对反应室进行净化，清洗净化时间为8秒，H₂O的载气流量为200sccm，三甲基铝的载气流量为150sccm；

(2)图形转移：将设计好的纳米台阶平面图形采用光刻工艺，深紫外光曝光的方式，转移到Al₂O₃薄膜；

采用EPG533光刻胶在Si基底表面匀胶后烘干；通过深紫外光曝光后，在NaOH溶液中显影；然后烘干，将纳米台阶平面图形转移到Al₂O₃薄膜；

(3)湿法刻蚀：用蚀刻液腐蚀掉图形以外的Al₂O₃薄膜，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；

采用HF、NH₄F和H₂O的混合液对带有纳米台阶平面图形Si基底进行腐蚀，将未被光刻胶掩蔽的Al₂O₃薄膜腐蚀掉，Al₂O₃薄膜被腐蚀干净后，用丙酮溶液去除光刻胶掩蔽层；

通过控制所述步骤(1)中Al₂O₃薄膜生长时间，生成0-50纳米任意高度的纳米台阶。

2.根据权利要求1所述的在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法，其特征在于：采用单面抛光<100>硅片作为Si基底，步骤(1)中制备Al₂O₃薄膜前，分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗Si基底，清洗干净后烘干。