[发明专利]一种CdS/SiO2纳米透明复合薄膜的制备方法

摘要

本发明采用CdS/SiO2共溅射法，射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜，属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较，具有快速、低温，以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优势。溅射制备CdS量子点纳米薄膜采用两步法：先在超高真空磁控溅射设备上，射频溅射沉积非晶CdS/SiO2复合薄膜；沉积完的非晶薄膜与硫在N2中进行退火处理成多晶膜。SiO2具有硅羟基，且又有很高的透射率及很低的散射率，适用纳米复合薄膜材料的表面修饰，在CdS/SiO2纳米复合薄膜中，起到保护CdS量子点、提高发光效率的作用，此类复合薄膜，作为在荧光太阳能聚光器下的转换层等，在光电技术中有广泛的运用前景。

主权项

一种CdS/SiO2纳米透明复合薄膜的制备方法，其特征在于薄膜制备采用两步法：高真空磁控溅射设备上，用射频磁控溅射法，将非晶CdS/SiO2复合薄膜，沉积在清洗后玻璃基片上；再将沉积的非晶薄膜，于N2 气氛中进行退火处理，具体如下工艺过程和步骤：1）CdS/SiO2 靶材：采用的是圆形高纯SiO2靶材（1），在上面用导电胶黏贴相对与圆形SiO2靶心对称的CdS晶片（2），且晶片都在一个同心圆上，采用晶片数目为4片；且按需CdS量子点均匀分布于SiO2层间，使靶材在一个射频电源上，可同时溅射2种不同的材料；2）薄膜溅射： 将前处理清洗后的玻璃基片，放入溅射腔体，溅射过程在室温下进行，以上述CdS/SiO2为靶材，溅射的参数为：靶距：80mm；氩气流量：10sccm，纯度 99.999%；本底真空：5×10‑4  Pa ；溅射气压：1 Pa ；溅射功率：100～180W ；溅射时间：1～3h；3）薄膜热处理：沉积的非晶薄膜，放在加硫热处理瓷舟里在炉中，一定温度及保温时间下进行退火处理。