[发明专利]一种CdS/SiO2纳米透明复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种CdS/SiO₂纳米透明复合薄膜的制备方法，其特征在于薄膜制备采用两步法：高真空磁控溅射设备上，用射频磁控溅射法，将非晶CdS/SiO₂复合薄膜，沉积在清洗后玻璃基片上；再将沉积的非晶薄膜，于N₂ 气氛中进行退火处理，具体如下工艺过程和步骤：

1）CdS/SiO₂ 靶材：

采用的是圆形高纯SiO₂靶材（1），在上面用导电胶黏贴相对与圆形SiO₂靶心对称的CdS晶片（2），且晶片都在一个同心圆上，采用晶片数目为4片；且按需CdS量子点均匀分布于SiO₂层间，使靶材在一个射频电源上，可同时溅射2种不同的材料；

2）薄膜溅射： 

将前处理清洗后的玻璃基片，放入溅射腔体，溅射过程在室温下进行，以上述CdS/SiO₂为靶材，溅射的参数为：

靶距：80mm；氩气流量：10sccm，纯度 99.999%；本底真空：5×10^-4  Pa ；溅射气压：1 Pa ；溅射功率：100～180W ；溅射时间：1～3h；

3）薄膜热处理：

沉积的非晶薄膜，放在加硫热处理瓷舟里在炉中，一定温度及保温时间下进行退火处理。

2.根据权利要求1中所述的制备CdS/SiO₂纳米透明复合薄膜的方法，其特征在于采用以设计的CdS/SiO₂靶材进行共溅射，可选择不同的材料，高纯SiO₂以石英玻璃（纯度99.99%）构成，同时简单地增减CdS晶片（2）数目，调节CdS与SiO₂的占空比。

3.根据权利要求1，2中所述的制备CdS/SiO₂纳米透明复合薄膜的方法，其特征在于，沉积的非晶薄膜在N₂气氛保护中，进行退火热处理过程时，硫与非晶薄膜加入瓷舟中，平行热处理，温度为200℃～400℃，保温时间为：10min～60min。