[发明专利]具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件

摘要

在一个实施例中，方法包括：提供具有设置在其上的沟槽并且在沟槽中形成多层的半导体衬底。蚀刻在沟槽中所形成的多层，由此提供顶面位于沟槽的顶面之下的至少一个蚀刻层。在又一个实施例中，该方法可以为用于形成更多层的沟槽提供基本V形开口或入口。而且，器件具有修正轮廓金属栅极，例如，具有至少一个金属层。本发明还提供了具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供其上设置有沟槽的半导体衬底；在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成包括第一层和第二层的多层；以及蚀刻所述第一层和所述第二层，以形成被蚀刻的第一层和被蚀刻的第二层，其中，所述蚀刻包括使设置在所述沟槽中的所述被蚀刻的第一层和所述被蚀刻的第二层中的至少一个的顶面低于所述沟槽的顶面，其中，所述第一层是栅极介电层，而所述第二层是功函金属层，并且在所述沟槽中形成所述多层包括形成介于所述第一层和所述第二层之间的势垒层，所述蚀刻包括：在所述沟槽中将所述栅极介电层蚀刻到第一高度，在所述沟槽中将所述势垒层蚀刻到第二高度，以及在所述沟槽中将所述功函金属层蚀刻到第三高度，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度不同；在所述沟槽中形成填充金属层，其中，所述填充金属层与所述栅极介电层、所述势垒层、以及所述功函金属层中的每个都具有界面。