[发明专利]一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号: | 201310163431.5 | 申请日: | 2013-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN104143579A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
| 发明(设计)人: | 唐江;韩珺;杨波;周英;王亮;刘新胜;冷美英 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 方放 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种锑基化合物构成的薄膜太阳能电池及其制备方法,属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域,解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒或生产工艺复杂的问题。本发明的锑基化合物薄膜太阳能电池,包括衬底及在其上依次沉积的背电极层、P型吸收层、N型缓冲层、氧化物薄膜窗口层和金属栅电极,P型吸收层为CuXSbyβZ材料,其中β为S或Se。本发明中,P型吸收层的材料选自地壳中丰度较高的元素,资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好,它们的禁带宽度范围约为0.5~2.5ev,光谱响应范围较广,吸光系数高达105cm-1,由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 化合物 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锑基化合物薄膜太阳能电池,包括衬底(1)及在其上依次沉积的背电极层(2)、P型吸收层(3)、N型缓冲层(4)、氧化物薄膜窗口层(5)和金属栅电极(6),其特征在于:所述P型吸收层(3)为CuXSbyβZ材料,其中β为S或Se,X=0~3,Y=1~2,Z=2~4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





