[发明专利]一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310163431.5 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN104143579A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 唐江;韩珺;杨波;周英;王亮;刘新胜;冷美英 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 方放
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种锑基化合物构成的薄膜太阳能电池及其制备方法,属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域,解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒或生产工艺复杂的问题。本发明的锑基化合物薄膜太阳能电池,包括衬底及在其上依次沉积的背电极层、P型吸收层、N型缓冲层、氧化物薄膜窗口层和金属栅电极,P型吸收层为CuXSbyβZ材料,其中β为S或Se。本发明中,P型吸收层的材料选自地壳中丰度较高的元素,资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好,它们的禁带宽度范围约为0.5~2.5ev,光谱响应范围较广,吸光系数高达105cm-1,由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。
搜索关键词: 一种 化合物 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种锑基化合物薄膜太阳能电池,包括衬底(1)及在其上依次沉积的背电极层(2)、P型吸收层(3)、N型缓冲层(4)、氧化物薄膜窗口层(5)和金属栅电极(6),其特征在于:所述P型吸收层(3)为CuXSbyβZ材料,其中β为S或Se,X=0~3,Y=1~2,Z=2~4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310163431.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top