[发明专利]一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种锑基化合物薄膜太阳能电池，包括衬底(1)及在其上依次沉积的背电极层(2)、P型吸收层(3)、N型缓冲层(4)、氧化物薄膜窗口层(5)和金属栅电极(6)，其特征在于：

所述P型吸收层(3)为Cu_XSb_yβ_Z材料，其中β为S或Se，X＝0～3，Y＝1～2，Z＝2～4。

2.如权利要求1所述的锑基化合物薄膜太阳能电池，其特征在于：

所述衬底(1)为玻璃、Al、Cu、不锈钢或聚酰亚胺材料；所述背电极层(2)为Mo、Cu、Au、Ni、Ag、Al、SnO₂∶F或In₂O₃∶Sn材料；所述N型缓冲层(4)为CdS、Zn(S，O)、In₂S₃、In₂(S，O，OH)₃、TiO₂或ZnO材料；所述氧化物薄膜窗口层(5)为In₂O₃∶Sn、ZnO∶Al、ZnO∶B或SnO₂∶F材料；所述金属栅电极(6)为Mo、Cu、Au、Ni、Ag或Al材料或者它们的二元组合，所述二元组合为在一种金属层上再沉积另一种金属层。

3.如权利要求1或2所述的锑基化合物薄膜太阳能电池，其特征在于：

所述衬底(1)厚度为0.01cm～3cm；所述背电极层(2)厚度为100nm～1000nm；所述P型吸收层(3)厚度为0.2μm～3μm；所述N型缓冲层(4)厚度为30nm～200nm；所述氧化物薄膜窗口层(5)厚度为100nm～1000nm；所述金属栅电极(6)厚度为1μm～10μm。

4.如权利要求3所述的锑基化合物薄膜太阳能电池，其特征在于：

所述金属栅电极形状为金属细丝组成的筛网状或金属细丝组成的螺旋状电极。

5.如权利要求1或2所述的锑基化合物薄膜太阳能电池的制备方法，包括沉积背电极层步骤、沉积P型吸收层步骤、沉积N型缓冲层步骤、沉积氧化物薄膜窗口层步骤、沉积金属栅电极步骤，其特征在于：

一、沉积背电极层步骤：采用磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发或电化学沉积法在衬底(1)表面沉积背电极层(2)；

二、沉积P型吸收层步骤：采用磁控溅射、热蒸发、激光脉冲沉积、电化学沉积或溶液涂膜法，在背电极层(2)上沉积P型吸收层(3)；

三、沉积N型缓冲层步骤：采用磁控溅射、热蒸发、激光脉冲沉积、电化学沉积、化学水浴法或溶液涂膜法，在P型吸收层(3)上沉积N型缓冲层(4)；

四、沉积氧化物薄膜窗口层步骤：采用磁控溅射或热蒸发法，在N型缓冲层(4)上沉积氧化物薄膜窗口层(5)；

五、沉积金属栅电极步骤：采用磁控溅射、热蒸发、喷涂或丝网印刷法，在氧化物薄膜窗口层(5)上沉积金属栅电极(6)，从而制得PN结结构的锑基化合物薄膜太阳能电池。

6.如权利要求5所述的锑基化合物薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：

所述衬底(1)厚度为0.01cm～3cm；所述背电极层(2)厚度为100nm～1000nm；所述P型吸收层(3)厚度为0.2μm～3μm；所述N型缓冲层(4)厚度为30nm～200nm；所述氧化物薄膜窗口层(5)厚度为100nm～1000nm；所述金属栅电极(6)厚度为1μm～10μm。

7.如权利要求5或6所述的锑基化合物薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：

所述金属栅电极形状为金属细丝组成的筛网状或金属细丝组成的螺旋状电极。