[发明专利]光刻返工去胶工艺有效
| 申请号： | 201310157308.2 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103257534A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻返工去胶工艺包括提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。本发明不需要利用等离子干法灰化，不存在高温制程，也不需要用到强氧化性或强酸性的化学液，因而不会对晶圆表面的薄膜产生损伤或改性。本发明工艺简单，原料消耗少，可以提高整个制造工艺流程的稳定和可制造性能，并且能增大最大光刻返工次数的限制，为研究开发和大量生产提供更大的工艺容错度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 返工 工艺 | ||
【主权项】：
一种光刻返工去胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；步骤S02，使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；步骤S03，对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。
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