[发明专利]光刻返工去胶工艺有效
| 申请号： | 201310157308.2 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103257534A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 返工 工艺 | ||
1.一种光刻返工去胶工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，提供待光刻返工的晶圆，该晶圆表面经过第一次光刻并具有残留的光刻胶；
步骤S02，使用可产生使该光刻胶发生完全光化学反应的光束的光刻机，对整个晶圆表面曝光；
步骤S03，对曝光后的晶圆表面显影，去除光刻胶。
2.根据权利要求1所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光刻机与第一次光刻所用光刻机相同。
3.根据权利要求2所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光束与第一次光刻所用光束相同。
4.根据权利要求3所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光束是单一波长或广谱光。
5.根据权利要求4所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该光刻胶是存在于40纳米节点的多晶硅栅极层表面上，该光刻的光束为氟化氩193纳米紫外光。
6.根据权利要求5所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该显影所用显影液是碱性混合溶液。
7.根据权利要求6所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该显影液含有四甲基氢氧化铵。
8.根据权利要求1至7任一项所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：还包括步骤S04，对显影后的晶圆表面进行清洗；步骤S05，干燥清洗后的晶圆表面。
9.根据权利要求8所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该清洗包括水洗浸润、喷雾清洗、刷洗、冲洗或超声波震荡。
10.根据权利要求8所述的光刻返工去胶工艺，其特征在于：该干燥包括甩干、吹干、烘干、异丙醇表面张力干燥。
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