[发明专利]一种开关机电路和一种电子设备在审
申请号: | 201310156913.8 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103297014A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 韩盈盈;吴凡;李坡 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔声学科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;何立春 |
地址: | 266061 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种开关机电路和一种电子设备。该电路具体为:拨动开关的第一连接端接地;拨动开关的第二连接端与二极管的正极和第一电阻的一端相连;二极管的负极与第一电阻的另一端、第一电容的一端和N-MOS型场效应晶体管的栅极相连;第一电容的另一端接地;拨动开关的第三连接端与电源连接端、第二电阻的一端和P-MOS型场效应晶体管的源极相连;第二电阻的另一端与N-MOS型场效应晶体管的源极和P-MOS型场效应晶体管的栅极相连;N-MOS型场效应晶体管的漏极接地;P-MOS型场效应晶体管的漏极接供电端。本发明的技术方案能够准确的执行开关机操作,并且在被执行关机操作后,电路在一定的延时时间后才断电关机。 | ||
搜索关键词: | 一种 开关机 电路 电子设备 | ||
【主权项】:
一种开关机电路,其特征在于,所述开关机电路包括拨动开关、二极管、第一电阻、第一电容、N‑MOS型场效应晶体管、P‑MOS型场效应晶体管、第二电阻、电源连接端和供电端;其中,拨动开关具有第一连接端、第二连接端和第三连接端;拨动开关的第一连接端接地;拨动开关的第二连接端与二极管的正极和第一电阻的一端相连;二极管的负极与第一电阻的另一端、第一电容的一端和N‑MOS型场效应晶体管的栅极相连;第一电容的另一端接地;拨动开关的第三连接端与电源连接端、第二电阻的一端和P‑MOS型场效应晶体管的源极相连;第二电阻的另一端与N‑MOS型场效应晶体管的源极和P‑MOS型场效应晶体管的栅极相连;N‑MOS型场效应晶体管的漏极接地;P‑MOS型场效应晶体管的漏极接供电端。
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