[发明专利]一种开关机电路和一种电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及电子设备研发技术领域，特别涉及一种开关机电路和一种电子设备。

背景技术

目前很多电子设备采用拨动开关进行开关机控制。拨动开关有两个档位，一个是开机，另一个是关机。当开机时，拨动开关控制使得供电端上电，电子设备工作；当关机时，拨动开关控制使得供电端断电，电子设备停止工作。

采用拨动开关的好处是关机时可以完全切断供电端的电源，能够延长电子设备关机状态下电池的存放时间。因而通常会用拨动开关来构建电子设备的开关机控制电路。目前电子设备功能越来越多，开机和关机动作以后系统会有很多任务需要处理。例如带有智能操作系统的设备，进入关机进程以后需要进行保存数据等操作；又例如有的电子设备按下关机按钮后需要有一系列的动作，像闪烁指示灯，与其他设备通信上报关机状态及重要数据等等。以上功能要求电子设备在用户进行关机操作后，不能立即断电，还要维持供电一段时间。因而用拨动开关构建的电子设备的开关机控制电路的技术设计方案应该能解决上述的问题。

现有电路的技术设计方案一般采用两种方法来解决上述问题：

1、用户进行关机操作后，不关闭电源，处理器处理完必要的任务后，进入睡眠模式。用户开机时唤醒处理器，进入开机状态。

但是这种方案在电子设备关机以后，处理器仍处于上电状态，其他模块也处于供电状态，系统仍在耗电，这样关机状态下电池的存放时间会大大减少，严重影响电池的使用寿命。

2、采用处理器控制电源的切断，处理器处理完必要任务后，给电源模块发送断电信号，系统断电。用户开机时重新上电。

这种方案中，电子设备需要处理器进行关机，如果处理器出现死机或程序跑飞的情况，就不会下达指令进行关机，此种状态下开关机操作也会失灵。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种开关机电路和一种电子设备。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的:

本发明的实施例公开了一种开关机电路，该开关机电路包括拨动开关、二极管、第一电阻、第一电容、N-MOS型场效应晶体管、P-MOS型场效应晶体管、第二电阻、电源连接端和供电端；其中，拨动开关具有第一连接端、第二连接端和第三连接端；

拨动开关的第一连接端接地；

拨动开关的第二连接端与二极管的正极和第一电阻的一端相连；二极管的负极与第一电阻的另一端、第一电容的一端和N-MOS型场效应晶体管的栅极相连；第一电容的另一端接地；

拨动开关的第三连接端与电源连接端、第二电阻的一端和P-MOS型场效应晶体管的源极相连；第二电阻的另一端与N-MOS型场效应晶体管的源极和P-MOS型场效应晶体管的栅极相连；N-MOS型场效应晶体管的漏极接地；P-MOS型场效应晶体管的漏极接供电端。

可选地，本发明实施例公开的电路还包括一个用于消除拨动开关在档位切换过程中出现的电平抖动的第二电容；

所述第二电容的一端与拨动开关的第一连接端相连，另一端接地。

可选地，在本发明实施例公开的电路中，第二电容的电容值为100nF。

可选地，本发明实施例公开的电路还包括一个电池；该电池与电源连接端相连。

可选地，在本发明实施例公开的电路中，电池的电压为3.7V。

可选地，本发明实施例公开的电路还包括一个用于消除电源上纹波的第三电容；

该第三电容的一端与供电端相连，另一端接地。

可选地，在本发明实施例公开的电路中，第三电容的电容值为10μF。

可选地，在本发明实施例公开的电路中，二极管的型号为PMEG2005EB;第一电阻的阻值为1MΩ；第一电容的电容值为4.7μF；N-MOS型场效应晶体管的型号为LSI1012XT1G；P-MOS型场效应晶体管的型号为LP2307LT1G；第二电阻的阻值为1MΩ。

本发明的实施例还公开了一种电子设备，该电子设备包括权上述所述的电路。

本发明实施例提供的电路具有能够准确的执行开关机操作，并且在被执行关机操作后，电路在一定的延时时间后才断电关机的优点。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种开关机电路的结构图；

图2为发明实施例提供的电路在被进行关机操作后电路的状态与时间的关系的曲线图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。