[发明专利]半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件无效
| 申请号： | 201310154043.0 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103274608A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;宇都野太;本田克典 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露于用高频率激发含有氧的气体而产生的氧等离子体中。氧等离子体的产生条件优选外加频率数为1kHz以上300MHz以下、压力为5Pa以上。另外，优选利用溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、溶胶凝胶法、微粒涂布法的任一者暴露非晶质氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制备 方法 元件 | ||
【主权项】：
半导体薄膜，其特征在于，将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露在用高频率激发含有氧的气体所产生的氧等离子体中而成，上述非晶质氧化物薄膜是以氧化铟为主成分的薄膜，通过暴露于上述氧等离子体中而结晶化。
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