[发明专利]半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件无效
| 申请号： | 201310154043.0 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103274608A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;宇都野太;本田克典 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制备 方法 元件 | ||
【权利要求书】：
1.半导体薄膜，其特征在于，将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露在用高频率激发含有氧的气体所产生的氧等离子体中而成，上述非晶质氧化物薄膜是以氧化铟为主成分的薄膜，通过暴露于上述氧等离子体中而结晶化。
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜，其特征在于，上述非晶质氧化物薄膜含有正二价的金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的半导体薄膜，其特征在于，上述正二价的金属氧化物是选自氧化锌、氧化镁、氧化镍、氧化铜和氧化钴中至少任一者的1种以上的金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的半导体薄膜，其特征在于，上述非晶质氧化物薄膜含有正三价的金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的半导体薄膜，其特征在于，上述正三价的金属氧化物是选自氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化钕、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱和氧化镥中至少任一者的1种以上的金属氧化物。
6.半导体薄膜的制备方法，其特征在于，将含有非晶质氧化物并形成薄膜的非晶质氧化物薄膜暴露于用高频率激发含有氧的气体而产生的氧等离子体中。
7.半导体元件，其特征在于，具有权利要求1～5中任一项所述的半导体薄膜。
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