[发明专利]双阱横向可控硅整流器有效
| 申请号： | 201310154008.9 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378169B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | G·博塞利;R·商杰罗林格 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为双阱横向可控硅整流器，涉及LSCR，其包括具有p型掺杂的半导体表面的衬底。彼此分隔开的第一n阱和第二n阱在半导体表面中相距横向间隔距离。第一n+扩散区和第一p+扩散区在第一n阱中。第二n+扩散区在第二n阱中。第二p+扩散区在第一n阱和第二n阱之间，其提供到半导体表面的触点。电介质隔离在第一n+扩散区和第一p+扩散区之间，沿着第一n阱和半导体表面之间的外围，并沿着第二n阱和半导体表面之间的外围。电阻器提供第二n+扩散区和第二p+扩散区之间的耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
一种横向可控硅整流器即LSCR，包括：衬底，其具有p型掺杂的半导体表面；第一n阱和第二n阱，其在所述半导体表面中彼此隔开横向间隔距离；在所述第一n阱中的第一n+扩散区和第一p+扩散区，其中所述第一n+扩散区被直接连接到高阻抗节点并且所述第一p+扩散区被直接连接到要被保护的焊盘；全部在所述第二n阱中的第二n+扩散区，其中所述第二n+扩散区被直接连接到接地基准；在所述第一n阱和所述第二n阱之间的第二p+扩散区，其提供到所述半导体表面的触点；电介质隔离，其在所述第一n+扩散区和所述第一p+扩散区之间，沿着所述第一n阱的外围，并沿着所述第二n阱的外围，以及电阻器，其将所述第二n+扩散区耦合到所述第二p+扩散区。
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