[发明专利]双阱横向可控硅整流器

权利要求书

1.一种横向可控硅整流器即LSCR，包括：

衬底，其具有p型掺杂的半导体表面；

第一n阱和第二n阱，其在所述半导体表面中彼此隔开横向间隔距离；

在所述第一n阱中的第一n+扩散区和第一p+扩散区，其中所述第一n+扩散区被直接连接到高阻抗节点并且所述第一p+扩散区被直接连接到要被保护的焊盘；

全部在所述第二n阱中的第二n+扩散区，其中所述第二n+扩散区被直接连接到接地基准；

在所述第一n阱和所述第二n阱之间的第二p+扩散区，其提供到所述半导体表面的触点；

电介质隔离，其在所述第一n+扩散区和所述第一p+扩散区之间，沿着所述第一n阱的外围，并沿着所述第二n阱的外围，以及

电阻器，其将所述第二n+扩散区耦合到所述第二p+扩散区。

2.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述半导体表面包括p阱。

3.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述半导体表面包括在所述衬底上的p型外延层。

4.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述电阻器的电阻是从10千欧至200千欧。

5.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述电阻器利用寄生的半导体表面/衬底的电阻。

6.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述电阻器包括多晶硅电阻器。

7.根据权利要求1所述的LSCR，其中所述横向间隔距离至少是10μm。

8.根据权利要求1所述的LSCR，其进一步包括在所述第一n阱和所述第二n阱外部的所述半导体表面中的第三p+扩散区，和耦合所述第三p+扩散区和所述第一p+扩散区的连接器，以及沿着所述连接器用以将电流注入到所述半导体表面中的注入器。

9.一种集成电路即IC，包括：

衬底，其具有p型掺杂的半导体表面；

在所述半导体表面上的功能电路，所述功能电路被配置为实现并执行功能，所述功能电路具有多个端子，所述多个端子至少包括第一端子和接地端子；

在所述半导体表面上的横向可控硅整流器即LSCR，该LSCR包括：

第一n阱和第二n阱，其在所述半导体表面中彼此隔开横向间隔距离；

在所述第一n阱中的第一n+扩散区和第一p+扩散区，其中所述第一n+扩散区被直接连接到高阻抗节点；

在所述第二n阱中的第二n+扩散区；

在所述第一n阱和所述第二n阱之间的第二p+扩散区，其提供到所述半导体表面的触点；

电介质隔离，其在所述第一n+扩散区和所述第一p+扩散区之间，沿着所述第一n阱的外围，并沿着所述第二n阱的外围，以及

电阻器，其将所述第二n+扩散区耦合到所述第二p+扩散区，

其中所述第一端子直接连接到所述第一p+扩散区，且其中所述接地端子直接连接到所述第二n+扩散区。

10.根据权利要求9所述的IC，其中所述第一n+扩散区是浮接的、连接到高阻抗节点或连接到电容器。

11.根据权利要求9所述的IC，其中所述电阻器的电阻是从10千欧至200千欧。

12.根据权利要求9所述的IC，其中所述电阻器利用所述半导体表面。

13.根据权利要求9所述的IC，其中所述电阻器包括多晶硅电阻器。

14.根据权利要求9所述的IC，其中所述横向间隔距离至少是10μm。

15.根据权利要求9所述的IC，其进一步包括在所述第一n阱和所述第二n阱外部的所述半导体表面中的第三p+扩散区，和耦合所述第三p+扩散区和所述第一p+扩散区的连接器，以及沿着所述连接器用以将电流注入到所述半导体表面中的注入器。