[发明专利]适用于高压环境的雷电防护电路无效
| 申请号： | 201310151225.2 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103248032A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于高压环境的雷电防护电路，P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是：其可应用于高压环境，且电路结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高压 环境 雷电 防护 电路 | ||
【主权项】：
适用于高压环境的雷电防护电路，其特征在于：它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
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