[发明专利]适用于高压环境的雷电防护电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种雷电防护电路，更具体的说是涉及一种适用于高压环境的雷电防护电路。

背景技术

    在夏季，雷雨多发季节，雷电经常发生。在各个方面的雷电防护电路应有尽有，但是，其大多为在低电压环境中使用。而在高压环境中使用的防雷电路其电路结构都较为复杂。

发明内容

本发明提供一种适用于高压环境的雷电防护电路，其可应用于高压环境，且电路结构简单。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。

更进一步的技术方案是:

所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。

所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。

所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。

在本发明中，电阻R1的两端分别连接在设备的IO端口和内部电路之间，且与内部电路连接的一端同时连接在P型场效应管MOS2的漏极上。当雷电从IO端口进入时，电阻R1起限流作用。P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和稳压二极管D2分别提供多条雷电泄放通路讲雷电泄放掉。由于P型场效应管MOS1和P型场效应管MOS2串联，N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4串联，稳压二极管D1和稳压二极管D2串联，使得该电路的抗压能力增强，使其适用于高压环境。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明的电路结构简单，便于实现。

2、本发明的电路提供多条雷电泄放电路，有效的讲雷电泄放掉，使其具有良好的防雷效果。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的适用于高压环境的雷电防护电路，它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1；所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上；所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上；所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连，N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上；所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地；所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上，正极连接在VDD上，所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。

所述的稳压二极管D1上串联有稳压二极管D2。

所述的电阻R1的阻值为7000欧姆。

所述的P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3和N型场效应管MOS4衬底均与其的源级相连接。

如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。