[发明专利]场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 201310149427.3 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103378161A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 金洞院;金大万;丁润夏;朴修永;朴赞训;白禄贤;李尚贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 以及 制造 该场 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：漏极区和源极区；沟道区，连接所述漏极区与所述源极区；栅电极，在所述沟道区的至少一部分上；和栅电介质层，在所述沟道区与所述栅电极之间，其中所述沟道区的与所述源极区连接的第一部分具有比所述沟道区的与所述漏极区连接的第二部分小的截面面积。
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